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NSG2027
高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，兼容3.3V、5V和15V输入逻辑，浮地通道最高工作电压250V，输出级拉电流/灌电流能力4A/4A
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- 描述
- 250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流：4/4A、集成自举二极管（180ohm）
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG2027
- 商品编号
- C41414484
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.174498克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 50ns | |
| 下降时间(tf) | 40ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 120uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
NSG2027是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺，使高、低侧栅驱动电路可单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOP8封装，可在 -40°C至125°C温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道，最高工作电压为 +250V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达 ±50V/ns
- Vs负偏压能力达 -9V
- 栅极驱动电压从10V到20V
- 防直通死区逻辑，死区时间设定250ns
- 芯片传输延时特性：开通/关断传输延时Ton/Toff = 400ns/150ns，延迟匹配时间50ns
- 宽温度范围 -40°C ~ 125°C
- 输出级拉电流/灌电流能力4A/4A
- 集成自举二极管
- 符合RoSH标准
- SOP8封装
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动