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NSG6001

650V单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

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描述: 650V N+N半桥驱动、高同低反逻辑、拉/灌电流：0.6/1.0A
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: NSG6001
商品编号: C41414490
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.174498克(g)

商品参数

商品概述

NSG6001是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。采用SOP8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮地通道
最高芯片耐压为+650V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
Vs负偏压能力达-9V
集成VCC、VBS欠压锁定电路
- VCC欠压锁定阈值8.7V/7.7V
- VBS欠压锁定阈值8.2V/7.3V
芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff =350ns/150ns
- 延迟匹配时间小于50ns
防止直通保护
- 死区时间130ns
宽温度范围 -40°C~125°C
符合RoSH标准
SOP8 (S)

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
逆变器驱动

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1A
	拉电流(IOH)	600mA

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	70ns
	下降时间(tf)	35ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	60uA