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NSG6000R

高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片

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描述: 高速风筒专用芯片 NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: NSG6000R
商品编号: C41414487
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.174498克(g)

商品参数

商品概述

NSG6000R是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于5A以内MOS的直接驱动。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。采用SOP8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮地通道
最高芯片耐压为 +650V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dV/dt耐受能力可达±50 V/ns
Vs负偏压能力达 -9V
集成VCC、VBS欠压锁定电路
- VCC欠压锁定阈值8.7V/7.7V
- VBS欠压锁定阈值8.2V/7.3V
内部集成栅电阻，适用于5A以内MOS
防止直通保护
- 死区时间540ns
宽温度范围 -40°C ~ 125°C
符合RoSH标准
SOP8 (S)

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
逆变器驱动

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	2.8us
	下降时间(tf)	550ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	100uA