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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DOZ55N03

1个N沟道 耐压:30V 电流:55A

描述
N管/30V/55A/5mΩ/(典型4.4mΩ)
商品型号
DOZ55N03
商品编号
C41384254
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.23克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)55A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)17W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)34nC@10V
输入电容(Ciss)1.613nF
反向传输电容(Crss)214pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。

商品特性

  • VDS = 30 V, ID = 55 A, RDS(ON) < 5 m Ω @ VGS = 10 V
  • 改善了dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证EAS
  • 有环保器件可供选择。

数据手册PDF