温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DON70N06
N沟道 60V 70A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SGT工艺/N管/60V/70A/6mΩ/(典型4.7mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON70N06
- 商品编号
- C41384263
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 70 A,在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 6 m Ω
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)
- 采用散热性能良好的出色封装