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DON100N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- N管/30V/100A/4mΩ/(典型3mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON100N03
- 商品编号
- C41384269
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.853nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- Vds = 30V，Id = 100A，Rds(on) < 4mΩ（Vgs = 10V，典型值：3mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（Rds(on)）
- 封装有利于良好散热
- MSL3