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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DOP17P06

1个P沟道 耐压:60V 电流:17A

描述
P管/-60V/-17A/90mΩ/(典型80mΩ)
商品型号
DOP17P06
商品编号
C41384275
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.8672克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)17A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V
耗散功率(Pd)52.1W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.079nF
反向传输电容(Crss)49pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)72pF

商品概述

这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = -60 V,ID = -17 A,在 VGS = -10 V 时,RDS(ON) < 90 m Ω
  • 低栅极电荷。
  • 提供环保器件。
  • 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
  • 封装散热性能良好。

数据手册PDF