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DOP50N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- N管/60V/50A/15mΩ/(典型11mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOP50N06
- 商品编号
- C41384536
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8256克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -100 V，漏极电流（ID） = -10 A，在栅源电压（VGS） = -10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 300 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 采用散热性能良好的出色封装