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DOP20P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- P管/-60V/-20A/68mΩ/(典型58mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOP20P06
- 商品编号
- C41384534
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8687克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82.32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.015nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 61.95pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可实现极低的导通电阻RDS(on)和较低的栅极电荷，适用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V，漏极电流ID = -4.3 A，当栅源电压VGS = -10 V时，导通电阻RDS(ON) < 52 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好