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DON70N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- N管/40V/70A/8.5mΩ/(典型6.5mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON70N04
- 商品编号
- C41384264
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供极低导通电阻RDS(on)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20 V，漏极电流ID = -40 A，当栅源电压VGS = -4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 9 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低导通电阻RDS(ON)
- 出色的封装，散热性能良好