温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOZ4606K
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:9.5A
- 描述
- N+P管/30V/9.5A/28mΩ/(典型18mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ4606K
- 商品编号
- C41384255
- 商品封装
- DFN3x3-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 447pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 30 V,ID = 9.5 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 28 mΩ
- P沟道:VDS = -30 V,ID = -8.5 A,在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 52 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可选。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统