温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOZ22N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:22A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N管/40V/22A/22mΩ/(典型17mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ22N04
- 商品编号
- C41384258
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 523pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 40 V,漏极电流(ID) = 22 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 22 mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 有环保型器件可供选择
应用领域
- 汽车充电器
- 笔记本电脑电源管理
- 电池供电系统
- DC/DC转换器
- 负载开关