温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DOZ40P02
1个P沟道 耐压:20V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- P管/-20V/-40A/9mΩ/(典型7mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ40P02
- 商品编号
- C41384257
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.697nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 308pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道：VDS = 30 V，ID = 9.5 A，在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 28 mΩ
- P沟道：VDS = -30 V，ID = -8.5 A，在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 52 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可选。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。