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5N20
N沟道 200V/5.5A
- 描述
- MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 200阈值电压VGS:±20V th(V):1～3导通电阻RDS(ON) (mΩ):450 连续漏极电流ID(A):5.5A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 5N20
- 商品编号
- C39673585
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47507克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 461pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 11.6pF |
商品特性
- 超结MOSFET技术
- 超低栅极电荷
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源
- 电子镇流器
- 不间断电源（UPS）