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9N20
耐压:200V 电流:9A
- 描述
- MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 200阈值电压VGS:±20V th(V):1～3导通电阻RDS(ON) (mΩ):225 连续漏极电流ID(A):9A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 9N20
- 商品编号
- C39673596
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47852克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 922pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 功率因数校正（PFC）
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 电源管理