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4559A
N+P沟道 60V/6A，-60V/-5A
- 描述
- MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1.0～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):30-36 连续漏极电流ID(A):6A MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -60阈值电压VGS:±20V th(V):-1.0～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):70-100 连续漏极电流ID(A):-5A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 4559A
- 商品编号
- C39673589
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.201233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.148nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
WMO35N06T1采用先进的功率沟槽技术，该技术经过特别设计，可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 35 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(on) < 22 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(on) < 25 mΩ
- 提供环保器件
- 100%保证耐雪崩能力
- 针对高速平稳开关进行优化
应用领域
- 同步整流-DC/DC转换器