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150N03

N沟道 30V/150A

描述
MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 30阈值电压VGS:±20V th(V):1.2~2.4导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.5-2.2连续漏极电流ID(A):150A
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
150N03
商品编号
C39673593
商品封装
TO-252-4R​
包装方式
编带
商品毛重
0.485691克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))4.8mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)87W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.4V@250uA
栅极电荷量(Qg)143nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)718pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF