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9958
两个P沟道-60V/-8A
- 描述
- MOSFET类型:P+P 漏源电压(Vdss) (V): -60阈值电压VGS:±20V th(V):-1.2～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):70-90连续漏极电流ID(A):-8A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 9958
- 商品编号
- C39673594
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1999克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证耐雪崩能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 半桥和逆变器中的电源管理-负载开关-直流-直流转换器