温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
10N15
N沟道 150V/10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 150阈值电压VGS:±20V th(V):1～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):268-290连续漏极电流ID(A):10A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 10N15
- 商品编号
- C39673595
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 348mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 565pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HGQ014N04B-G是硅N沟道增强型VDMOSFET，采用高密度沟槽技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该器件适用于负载开关和PWM应用。封装形式为PDFN5×6-8L，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
- 无卤
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
相似推荐
其他推荐