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10N15
N沟道 150V/10A
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- 描述
- MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 150阈值电压VGS:±20V th(V):1～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):268-290连续漏极电流ID(A):10A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 10N15
- 商品编号
- C39673595
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 348mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 565pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
10N15是高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。10N15符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
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