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2310
N沟道 耐压:60V 电流:3A
- 描述
- MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1～2导通电阻RDS(ON) (mΩ):75-85 连续漏极电流ID(A):3A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 2310
- 商品编号
- C39673591
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WMOS D1是第一代垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）产品系列，显著降低了导通电阻，具有超低的栅极电荷，适用于需要高功率密度和高效率的应用。它性能稳定且符合RoHS标准。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 有绿色环保器件可选
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 开关电源（SMPS）
- 充电器
- 直流-直流转换器（DC-DC）