温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
90N03
N沟道 30V/90A
- 描述
- MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 30阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.2-4.8 连续漏极电流ID(A):90A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 90N03
- 商品编号
- C39673588
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47487克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.088nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 277pF |
商品特性
- N沟道、逻辑电平
- 2x2封装中最低的导通电阻RDS(on)
- 2x2封装中出色的热阻性能
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 针对高性能和功率密度进行优化