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40P10

P沟道 -100V/-40A

描述
MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -100阈值电压VGS:±20V th(V):-1.5~-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):66-37 连续漏极电流ID(A):-40A
品牌名称
HL(富海微)
商品型号
40P10
商品编号
C39673586
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4824克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)66A
导通电阻(RDS(on))83mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)94W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)100nC@10V
输入电容(Ciss)5.805nF
反向传输电容(Crss)86pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)178pF

商品特性

  • 低反向恢复电荷(QRR)、软恢复体二极管
  • 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗
  • 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-直流(DC-DC)和交流-直流(AC-DC)转换器中的同步整流(SR)
  • 隔离式直流-直流(DC-DC)转换器中的初级开关
  • 电机驱动
  • 汽车48V系统

数据手册PDF