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60G20F
N+P沟道 60V/20A，-60V/-20A
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- 描述
- MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):25-31 连续漏极电流ID(A):20A MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -60阈值电压VGS:±20V th(V):-1.2～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):42-55 连续漏极电流ID(A):-20A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 60G20F
- 商品编号
- C39673587
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17238克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证耐雪崩能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-半桥和逆变器中的电源管理-负载开关-直流-直流转换器