TPS51116PWPR

TPS51116为DDR/SSTL - 2、DDR2/SSTL - 18、DDR3/SSTL - 15、DDR3L、LPDDR3和DDR4内存系统提供完整的电源。它集成了一个同步降压控制器、一个3 - A灌/拉式跟踪线性稳压器和一个缓冲低噪声基准源。在空间有限的系统中，该器件可实现最低的总体解决方案成本。同步控制器采用自适应导通时间控制，运行固定400 - kHz伪恒定频率PWM，可配置为DCAP™模式以实现易用性和最快的瞬态响应，也可配置为电流模式以支持陶瓷输出电容器。3 - A灌/拉式LDO仅需20 - μF（2×10 μF）陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应。此外，LDO电源输入可从外部获取，以显著降低总功率损耗。该器件支持所有睡眠状态控制，在S3（挂起到内存）模式下将VTT置于高阻态，并在S4/S5（挂起到磁盘）模式下对VDDQ、VTT和VTTREF进行放电（软关断）。该器件具备包括热关断在内的所有保护功能，提供20引脚HTSSOP PowerPAD™封装和24引脚4×4 QFN封装。

• 同步降压控制器（VDDQ）
• 宽输入电压范围：3.0 - V至28 - V
• D−CAP™模式，负载阶跃响应为100 - ns
• 电流模式选项支持陶瓷输出电容器
• 支持S4/S5状态下的软关断
• 可通过RDS(on)或电阻进行电流检测
• 输出电压为2.5 - V（DDR）、1.8 - V（DDR2），可调节至1.5 - V（DDR3）、1.35 - V（DDR3L）、1.2 - V（LPDDR3和DDR4），或输出范围为0.75 - V至3.0 - V
• 配备电源正常指示、过压保护和欠压保护
• 能够灌/拉3 A电流，LDO输入可优化功率损耗
• 仅需20 - μF陶瓷输出电容器
• 缓冲低噪声10 - mA VREF输出，VREF和VTT的精度均为±20 mV
• 支持S3模式下的高阻态和S4/S5模式下的软关断
• 热关断

• DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4
• 内存电源
• SSTL - 2、SSTL - 18、SSTL - 15和HSTL
• 端接