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MS9N170HGC0实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS9N170HGC0

1个N沟道 耐压:1.7kV 电流:9A

描述
MOSFET 9A 1700V TO-247封装 超高压 高压 场效应管 国产
商品型号
MS9N170HGC0
商品编号
C37635839
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.733333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.7kV
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))4.26Ω@10V
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)82nC@10V
输入电容(Ciss)4.2nF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)450pF

商品概述

SOT23-3 塑封封装的 N 沟道 MOS 场效应管。

商品特性

  • 100%雪崩测试
  • 雪崩耐用性
  • 栅极电荷最小化
  • 极低的固有电容
  • 高速开关
  • 极低的导通电阻

应用领域

  • 焊机
  • 不间断电源(UPS)
  • 光伏逆变器
  • 开关应用

数据手册PDF