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MS9N170HGC0
1个N沟道 耐压:1.7kV 电流:9A
- 描述
- MOSFET 9A 1700V TO-247封装 超高压 高压 场效应管 国产
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS9N170HGC0
- 商品编号
- C37635839
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.733333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.26Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品概述
SOT23-3 塑封封装的 N 沟道 MOS 场效应管。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V
- 漏极电流（ID） = 5.8A（栅源电压 VGS = 10V）
- 导通电阻 RDS(ON) < 32mΩ（栅源电压 VGS = 10V）
- 导通电阻 RDS(ON) < 36mΩ（栅源电压 VGS = 4.5V）
- 导通电阻 RDS(ON) < 56mΩ（栅源电压 VGS = 2.5V）
- 符合 AEC-Q101 标准的高可靠性要求，无卤产品。
应用领域
- 适用于负载开关或脉宽调制（PWM）应用，满足汽车应用的严格要求。
- 该器件适用于作为负载开关或用于脉宽调制（PWM）应用，满足汽车应用的严格要求。