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MS5N200HGC0实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS5N200HGC0

MOSFET MS5N200HGC0

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描述
MOSFET 5A 2000V TO-247封装 超高压 高压 场效应管 国产
商品型号
MS5N200HGC0
商品编号
C37635840
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)2kV
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))10Ω@10V
耗散功率(Pd)520W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)75nC@10V
输入电容(Ciss)1.86nF
反向传输电容(Crss)58pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)133pF

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