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MS05N250HGE0

1个N沟道 耐压:2500V 电流:0.5A

描述
MOSFET 0.5A 2500V TO-263封装 超高压 高压 场效应管 贴片封装 国产
商品型号
MS05N250HGE0
商品编号
C37635857
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.72克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)2.5kV
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on))45Ω@10V
耗散功率(Pd)83W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))6.5V
栅极电荷量(Qg)7.4nC@10V
输入电容(Ciss)232pF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)16pF

数据手册PDF

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