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YFW3139KT
P沟道增强型MOSFET
- 描述
- 特性：无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 可在低逻辑电平栅极驱动下工作。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW3139KT
- 商品编号
- C37635957
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可应用于多种领域。
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 低导通电阻(RDS(on))的P沟道开关
- 低逻辑电平栅极驱动操作
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口、逻辑开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理