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YFW8N10MI实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

YFW8N10MI

100V N沟道增强型MOSFET

描述
特性:先进的高单元密度沟槽技术。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件可供选择。应用:二次同步整流。 LED电视背光
品牌名称
YFW(佑风微)
商品型号
YFW8N10MI
商品编号
C37635969
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)450mW
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)4.96nF
反向传输电容(Crss)268pF
工作温度-
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)300pF

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 超低栅极电荷
  • 提供环保器件

应用领域

  • 次级同步整流器
  • LED电视背光源

数据手册PDF