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YFW8N10MI
100V N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 特性：先进的高单元密度沟槽技术。 超低栅极电荷。 有绿色环保器件可供选择。应用：二次同步整流。 LED电视背光
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW8N10MI
- 商品编号
- C37635969
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 268pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源