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YFW50N20AF
200V N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 应用：电池保护。 负载开关。 不间断电源
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW50N20AF
- 商品编号
- C37636022
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 158W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 120 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 4 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 采用散热性能良好的优质封装。
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源