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S1P05R120HBB
SIC MOSFET MOUDLE 1200V5mR
- 描述
- 特性：漏源极电压（V_DSS） = 1200V。 额定漏极电流（I_D~nom） = 240A。 可高速开关。 高功率密度。 可高频运行。 超低损耗。应用：伺服驱动器。 UPS系统
- 品牌名称
- SICHAIN(清纯)
- 商品型号
- S1P05R120HBB
- 商品编号
- C37636038
- 商品封装
- 插件,62.8x56.8mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 576nC | |
| 输入电容(Ciss) | 16.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.06pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 电气特性 VDss = 1200V，ID_nom = 240A
- 可高速开关
- 高功率密度
- 高频操作
- 超低损耗
应用领域
- 伺服驱动器
- UPS系统
- 电机驱动器
- 高功率转换器
- 光伏
- 风力发电
- 感应加热设备
优惠活动
购买数量
(12个/托盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个12个/托盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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