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MS50N85IDC0
1个N沟道 耐压:850V 电流:50A
- 描述
- MOSFET 50A 850V TO-247封装 国产
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS50N85IDC0
- 商品编号
- C37635848
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.666667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 890W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 178nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 雪崩耐用性
- 栅极电荷最小化
- 极低的固有电容
- 极低的导通电阻
应用领域
- 不间断电源(UPS)
- 光伏逆变器
- 开关应用