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MS50N85IDC0

1个N沟道 耐压:850V 电流:50A

描述
MOSFET 50A 850V TO-247封装 国产
商品型号
MS50N85IDC0
商品编号
C37635848
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.666667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)850V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))130mΩ@10V
耗散功率(Pd)890W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)178nC@10V
输入电容(Ciss)3.01nF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-

数据手册PDF