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MS100N20IDT0
1个N沟道 耐压:200V 电流:100A
- 描述
- MOSFET 100A 200V TO-220封装 低压 大电流
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS100N20IDT0
- 商品编号
- C37635838
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.871nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 392pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 200 V,漏极电流(ID) = 100 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) = 23 mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 栅极电荷低
- 改善了电压变化率(dv/dt)能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 逆变器系统的电源管理