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MS6N150HGC0实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS6N150HGC0

1个N沟道 耐压:1500V 电流:6A

描述
MOSFET 6A 1500V TO-247封装 超高压 高压场效应管
商品型号
MS6N150HGC0
商品编号
C37635834
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))4.5Ω@10V
耗散功率(Pd)160W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)85nC@10V
输入电容(Ciss)1.3nF
反向传输电容(Crss)12pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
输出电容(Coss)120pF

商品概述

这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 100%雪崩测试
  • 雪崩耐受性强
  • 栅极电荷最小化
  • 极低的本征电容
  • 高速开关
  • 极低的导通电阻

应用领域

  • 焊机
  • 不间断电源(UPS)
  • 光伏逆变器
  • 开关应用

数据手册PDF