CSD16406Q3
1个N沟道 耐压:25V 电流:60A 电流:19A
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- 描述
- CSD16406Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16406Q3
- 商品编号
- C3291420
- 商品封装
- VSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A；60A | |
| 功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.3mΩ@20A,10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.1nF@12.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
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起订量：1 个1个/圆盘
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