UPA2560T1H-T1-AT

这些双 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供出色的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。

• N 沟道：3.8 A、20 V，VGS = 4.5 V 时，RDS(ON) = 0.035 Ω
• VGS = 2.7 V 时，RDS(ON) = 0.045 Ω
• P 沟道：-2.7 A、-20 V，VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 0.07 Ω
• VGS = -2.7 V 时，RDS(ON) = 0.095 Ω
• 采用铜引脚框架的专有 SuperSOT-8 封装设计，具备出色的热性能和电气性能
• 高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
• 出色的导通电阻和最大直流电流能力

• 笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路