UPA2521T1H-T2-AT
1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2521T1H-T2-AT
- 商品编号
- C3291415
- 商品封装
- VSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@10V,8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.6nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF@15V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺，具有坚固耐用的栅极结构。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 20V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在VGS = - 4.5 V时，RDS(ON) = 190 mΩ
- -2.5 A、-30 V，在VGS = -10 V时，RDS(ON) = 85 mΩ
- 扩展的VGSS范围（± 20V），适用于电池应用
- 低栅极电荷
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
- 负载开关
- 电池保护
- DC/DC转换
- 电源管理
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