FQP2NA90
N沟道,电流:2.8A,耐压:900V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP2NA90
- 商品编号
- C3290383
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品特性
- 在VGS为4.5V时具有低导通电阻RDS(on)
- 超低栅极阻抗
- 雪崩电压和电流参数完整
应用领域
- 用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器
- 无铅