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TSM80N08CZ C0G

N沟道,电流:80A,耐压:75V

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM80N08CZ C0G
商品编号: C3290218
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品特性

无卤素，“绿色”器件
通过AEC-Q101认证
采用高密度单元设计，降低漏源导通电阻（RDS(ON)）
电压控制小信号开关
环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
湿度敏感度等级为1级
无铅涂层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准，详见订购信息）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	75V
	连续漏极电流(Id)	80A
	导通电阻(RDS(on))	8mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	113.6W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	91.5nC@10V
	输入电容(Ciss)	390pF@30V
	反向传输电容(Crss)	203pF@30V
	工作温度	-55℃~+150℃