RM8810
双N沟道MOSFET,电流:7A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM8810
- 商品编号
- C3290079
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
这些P沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理、便携式电子设备以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中实现快速高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路。
商品特性
- 采用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷。
- 漏源极电压VDSS = 20V,栅源极电压VGSS = ±12V,漏极电流ID = 7A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON)典型值为16mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5V时,导通电阻RDS(ON)典型值为19mΩ
应用领域
- 用作负载开关或PWM应用。