RM6A5N30S6
N沟道,电流:6.5A,耐压:32V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM6A5N30S6
- 商品编号
- C3290075
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 32V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RM6A5N30S6采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 32 V, ID = 6.5 A
- RDS(ON)< 35 m Ω@ VGS=10 V
- RDS(ON) < 55 m Ω @ VGS = 4.5 V
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源