RM2305
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-4.1A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM2305
- 商品编号
- C3289983
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V,4.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF@4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形 DMOS 技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式 DC/DC 转换器、开关电源、不间断电源用 DC-AC 转换器以及电机控制。
商品特性
- 0.85A、200V，VGS = 10V 时，RDS(on) = 1.4Ω
- 低栅极电荷（典型值 5.0nC）
- 低 Crss（典型值 5.0pF）
- 快速开关
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 高效开关式 DC/DC 转换器
- 开关电源
- 不间断电源用 DC-AC 转换器
- 电机控制