FQB70N08TM
N沟道,电流:70A,耐压:80V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB70N08TM
- 商品编号
- C3288138
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 155W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.03nF |
商品概述
飞兆半导体（Fairchild）将先进的PowerTrench工艺与先进的BGA封装相结合，使FDZ209N在减少印刷电路板（PCB）占用空间的同时，降低了漏源导通电阻。这款BGA MOSFET代表了封装技术的一项突破，它使该器件具备出色的热传递特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低漏源导通电阻。
商品特性
- 70A、80V,RDS(on) = 0.017 Ω(VGS = 10 V时)
- 低栅极电荷(典型值75 nC)
- 低Crss(典型值180 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值175°C
应用领域
-汽车-DC/DC转换器的高效开关-直流电机控制