FQB25N33TM-F085
N沟道,电流:25A,耐压:330V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB25N33TM-F085
- 商品编号
- C3288136
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 330V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅面积尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 25A、330V,VGS = 10V时,RDS(on) = 0.23Ω
- 低栅极电荷(典型值58nC)
- 低Crss(典型值40pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合AEC Q101标准
- 符合RoHS标准
应用领域
-高效开关模式电源-有源功率因数校正-基于半桥拓扑的电子灯镇流器