CE3520K3-C1
20/24 GHz 超低噪声射频场效应管
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- 商品型号
- CE3520K3-C1
- 商品编号
- C3288015
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 4V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 390mV | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
专为高达500MHz的宽带大信号放大器和振荡器应用而设计
商品特性
- 超低噪声系数和高相关增益:
- 在VDS = 2 V、ID = 10 mA、f = 20 GHz条件下,典型噪声系数NF = 0.55 dB,典型增益Ga = 13.8 dB
- 在VDS = 2 V、ID = 10 mA、f = 24 GHz条件下,典型噪声系数NF = 0.80 dB,典型增益Ga = 13.9 dB
应用领域
-K波段低噪声下变频器(LNB)-多普勒传感器-微波通信系统低噪声放大器
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