- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CE3520K3-C1
20/24 GHz 超低噪声射频场效应管
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- 商品型号
- CE3520K3-C1
- 商品编号
- C3288015
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 4V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15mA | |
| 耗散功率(Pd) | 125mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 390mV | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 栅极电压(Vgs) | -3V |
商品概述
超低噪声、高增益
- 中空(气腔)塑料封装
商品特性
- 超低噪声系数和高相关增益:
- 在VDS = 2 V、ID = 10 mA、f = 20 GHz条件下,典型噪声系数NF = 0.55 dB,典型增益Ga = 13.8 dB
- 在VDS = 2 V、ID = 10 mA、f = 24 GHz条件下,典型噪声系数NF = 0.80 dB,典型增益Ga = 13.9 dB
应用领域
-K波段低噪声下变频器(LNB)-多普勒传感器-微波通信系统低噪声放大器