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2SK853A(1)-T1-A实物图
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2SK853A(1)-T1-A

2SK853A(1)-T1-A

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商品型号
2SK853A(1)-T1-A
商品编号
C3283154
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20mA
耗散功率(Pd)150mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V@10uA
输入电容(Ciss)4.1pF
反向传输电容(Crss)0.9pF
类型N沟道

商品概述

CLF1G0060 - 10和CLF1G0060S - 10是10 W通用宽带GaN HEMT,可在直流至6.0 GHz频率范围内使用。

商品特性

  • 工作频率范围为直流至6.0 GHz
  • 10 W通用宽带射频功率GaN HEMT
  • 出色的耐用性(电压驻波比 = 10:1)
  • 高电压工作(50 V)
  • 热增强型封装

应用领域

  • 商用无线基础设施(蜂窝网络、WiMAX)-工业、科学、医疗领域-雷达-干扰器-宽带通用放大器-电磁兼容性测试-公共移动无线电

数据手册PDF