FDD068AN03L
1个N沟道 耐压:30V 电流:17A 电流:35A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD068AN03L
- 商品编号
- C3281360
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
商品概述
Power MOS V® 是新一代高压 N 沟道增强型功率 MOSFET。这项新技术将 JFET 效应降至最低，提高了封装密度并降低了导通电阻。Power MOS V® 还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 5.7 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 4.5 V,漏极电流ID = 35 A
- 栅极电荷Qg(5) = 24 nC(典型值),栅源电压VGS = 5 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷体二极管
- 具备单脉冲和重复脉冲的非钳位感性开关(UIS)能力
- 通过AEC Q101认证
应用领域
- 12V汽车负载控制
- 起动机/交流发电机系统
- 电子动力转向系统
- 防抱死制动系统(ABS)
- 直流-直流转换器