FDD6696
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A 电流:50A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6696
- 商品编号
- C3281355
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.715nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（RDS(ON)）、快速开关速度和小封装内极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）进行了优化。
商品特性
- 当 VGS = 4.5V 时,RDS(ON) = 10.7mΩ
- 50A、30V,当 VGS = 10 V 时,RDS(ON) = 8.0 m Ω
- 低栅极电荷(典型值17nC)
- 快速开关
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
应用领域
- DC/DC转换器
- 电机驱动