FQD2N60TF
N沟道,电流:2.0A,耐压:600V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD2N60TF
- 商品编号
- C3281304
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：
- 背光照明
- 直流-直流转换器
- 电源管理功能
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
- 可进行生产件批准程序（PPAP）
应用领域
- 背光照明
- 直流-直流转换器
- 电源管理功能