HUFA76409D3S
17A, 60V, 0.071Ω, N沟道 Logic Level UltraFET Power MOSFETs
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUFA76409D3S
- 商品编号
- C3281302
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.627克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 71mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 49W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
RFD4N06L、RFD4N06LSM 是 N 沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，专为在可编程控制器、汽车开关和螺线管驱动器等应用中与逻辑电平（5 伏）驱动源配合使用而设计。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现，该设计可在 3 - 5 伏范围内的栅极偏置下实现全额定导通，从而便于从逻辑电路电源电压实现真正的开关功率控制。
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.063 Ω,vGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.071 Ω,VGS = 5 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 开关时间与RGS曲线
应用领域
- 可编程控制器-汽车开关-螺线管驱动器